低温RF-PECVD沉积非晶硅锗及其太阳电池的研究

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，衬底温度在180°C沉积非晶硅锗薄膜材料及太阳电池。本文研究了反应气体中的锗。