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薛俊明; 韩建超; 张德坤; 孙建; 任慧志; 管智贇; 赵颖; 耿新华;
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;
光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;
光电信息技术科学教育部重点实验室;
非晶硅; 太阳电池; 缓冲层; p/i界面;
机译:掺入p型氢化纳米晶硅缓冲层对非晶硅n-i-p太阳能电池性能的影响
机译:臭氧脉冲时间对以原子层沉积的V2O5-x薄膜为空穴传输层的薄膜非晶硅太阳能电池性能的影响
机译:不同的TCO界面对氢化非晶硅P-1-N太阳电池表现的性能的影响
机译:通过聚合物源化学气相沉积合成的非晶碳化硅和碳氮化硅薄膜的表征。机械结构和金属界面性能
机译:组成界面和沉积顺序对原子层沉积在硅上生长的纳米Ta2O5-Al2O3薄膜电学性能的影响
机译:富有缺陷的外延对结晶硅/非晶硅异质结太阳电池的影响及低流动性层的使用对提高性能的影响
机译:富含缺陷外延对晶体硅/非晶硅异质结太阳能电池的影响及低迁移率层用于提高性能。
机译:包含导电衬底的存储器件,其上沉积有非晶或微晶硅碳合金层和非晶或微晶含硅材料层
机译:基于掺有硼或其他gp的非晶硅的电子照相材料。势垒层和光电导层中掺杂剂与碳比率相同的三个元素,可实现低暗衰减和高对比度
机译:包括非晶硅和非晶碳缓冲层的电子照相感光体
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