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蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT低温特性研究

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本文研究了栅长为1μm的蓝宝石衬底AlGaN/GaNHEMT的室温～-70°C低温直流特性.阈值电压随温度的降低而下降且低于-30°C下降明显;饱和漏极电流随温度的降低而增大,增大的百分比为40.58﹪;拐点电压随温度的降低而增大.

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来源
《中国电子学会第十一届青年学术年会》|2005年|1023-1026|共4页
会议地点济南
作者
朱修殿; 鲁小妹; 张浩; 吕长志; 张小玲;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类元素半导体;
关键词
AlGaN/GaN HEMT; 低温特性; 二维电子气; 电子信息技术; 蓝宝石衬底;

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