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焦刚; 陈堂胜; 薛舫时; 李拂晓;
中国电子学会;
上海航天局;
宽禁带半导体; AlGaN/GaN; 高电子迁移率晶体管; 微波大功率; 蓝宝石衬底;
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r平面蓝宝石衬底上MOCVD生长a平面GaN膜的比较研究
机译:蓝宝石衬底上AlGaN / GaN异质结构中二维电子气的MOCVD生长和迁移研究
机译:在蓝宝石衬底上形成的N极GaN / AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管具有最小的台阶束
机译:蓝宝石衬底上厚AlGaN合金层和AlGaN / GaN异质结构的光学和结构研究
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:蓝宝石衬底上0.8μm栅长的AlGaN / GaN HEMT的生长和特性
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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