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公开/公告号CN207925490U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201820288128.6
发明设计人 李国强;郑昱林;王文樑;
申请日2018-02-28
分类号
代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人何淑珍
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2022-08-22 06:31:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-28
授权
机译: 在R平面蓝宝石衬底上制备非极性A平面氮化镓(GAN)薄膜的方法
机译: 改善(GA,AL,In,B)N薄膜和生长在非极性或半极性(GA,AL,IN,B)N衬底上的薄膜和表面形貌的方法
机译: 用于支撑电线的金属柱(葡萄树生长在该金属柱上)包括L型截面轮廓,其臂端具有向内弯曲的唇缘,钩子安装在立柱上,并带有将其固定在唇缘内的部分
机译:使用非极性a面GaN衬底上的HFET和c-GaN衬底上的p-GaN栅极来测量GaN基HFET的电流崩溃-常关型JHFET
机译:r面蓝宝石衬底上生长的非极性AlGaN / GaN量子阱发出的强紫外线
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:非极性m面alGaN / GaN量子阱中的太赫兹子带间吸收 井
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管