蓝宝石(0001)衬底上p-3C-SiC欧姆接触的研究

摘要

本文报道了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi形成欧姆接触的结构和电学特性.采用原位硼烷(B<,2>H<,6>)掺杂技术在蓝宝石(0001)衬底上用LPCVD方法生长p-3C-SiC外延膜.Hall测量其载流子浓度分别为P=1.33×10<'17>cm<'-3>和P=4.52×10<'16>cm<'-3>.将制得的样品分别在450°C,600°C和710°C下退火.用TLM方法测量其特征电阻,测得Al/p-3C-SiC欧姆接触在710°C退火之后的特征电阻率为ρ<,c>=0.02Ω·cm<'2>(P=1.33×10<'17>cm<'-3>,同样测得AuGeNi/p-3C-SiC的特征电阻率为ρ<,c>=0.035Ω·cm<'2>(P=4.52×10<'16cm<'-3>).