碳化硅衬底上形成的欧姆接触结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种碳化硅衬底上形成欧姆接触结构的方法，包括提供具有外延层的碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底需要金属化的表面依次淀积具有预设厚度的第一Ni金属层、NiSi合金层、第一Ti金属层、第二Ni金属层、第二Ti金属层以及表层金属层。本发明可以同时适用于N型和P型碳化硅衬底与金属欧姆接触。依据本发明制造出来的欧姆接触结构的金属与碳化硅衬底之间的接触稳定性好，并且形成的欧姆接触结构的电阻低，可以直接做与外电极互联工艺，不需要额外做金属化，降低了工艺复杂程度。