Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu

摘要

The structure of carbonic layer in three samples composed of 4H polytype of silicon carbide covered with the following sequence of layers: carbon/ nickel/siliconickel/silicon was investigated with Raman spectroscopy. Different thermal treatment of the samples lead up to differences in the structure of carbonic layer. Raman measurements with excitation focused on two interfaces: silicon carbide/carbon and carbon/silicide show differences in the structure of carbonic film at both sides although its thickness corresponds to 8 ÷ 10 graphene layers.%Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SiC) pokryto sekwencją warstw węgielikiel/krzemikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia kontaktów omowych. Analiza pasm ramanowskich wskazuje na różnice pomiędzy widzianą z obu stron strukturą warstwy węglowej pomimo, że grubość samej warstwy węglowej odpowiada 8 do 10 monowarstwom grafenowym.