法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/04 申请日:20171230
实质审查的生效
2019-07-09
公开
公开
机译: 微观结构特征微处理器的制造方法,包括在衬底的背面上形成保护层,例如在衬底上。绝缘体上硅衬底,使用碳化硅材料
机译: 在块状硅衬底上具有自对准双栅极的场效应晶体管(FET),形成方法和相关设计结构
机译: 半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)