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王英民;
中国电子学会;
抗静电;
机译:使用多晶硅栅极功函数差的CMOS参考电压源电路
机译:多晶硅栅CMOS基准电压源电路使用功函数差
机译:扫描扩散电阻显微镜研究了多晶硅栅引发的CMOS器件故障
机译:硅栅CMOS集成电路
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:用于CMOS /纳米级忆阻器协同设计的小面积紧凑型CMOS仿真器电路
机译:基于电导率类型和杂质浓度控制的多晶硅栅极功函数差异的CMOS参考电压
机译:显着改善CmOs硅栅集成电路的辐射硬度,甚至低至低温
机译:用于CMOS集成电路的高导电复合多晶硅栅极
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