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高庆宁;
中国兵器工业第214研究所;
蚌埠233042;
阈值电压漂移; 集成电路; 注入能量; P阱硅栅; CMOS电路;
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:磁场对超薄硅栅极纳米线场效应晶体管阈值电压的影响
机译:纳米金属晶粒随机数和位置对硅栅全纳米线N型金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压变性
机译:近阈值电压CMOS电路下的各种体偏压分析
机译:CMOS电路中的电源电压和阈值电压缩放技术。
机译:LaAlO3 / SrTiO3异质结构中电场引起的阈值电压漂移
机译:多晶硅栅极增强了随机掺杂剂引起的具有超薄栅极氧化物的亚100nm mOsFET的阈值电压波动
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响
机译:能够抑制杂质渗透现象和多晶硅耗尽现象的柱状多晶硅栅的制造方法和半导体装置的制造方法
机译:漂移中心漂移三脚架离心漂移直接在电力中由孔产生的旋转现象。
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