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公开/公告号CN110111712B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司;
申请/专利号CN201910463495.4
发明设计人 李广耀;王东方;汪军;王海涛;郝朝威;冯波;刘融;蔡伟;罗标;孙学超;桂学海;梁启斌;万燕飞;苏瑾;
申请日2019-05-30
分类号G09G3/00(20060101);
代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;
代理人许静;刘伟
地址 230012 安徽省合肥市新站区工业园内
入库时间 2022-08-23 12:58:19
机译: 使用阈值电压漂移或电阻漂移容忍的移动基准内存数据编码为多级单元(MLC)存储器实现增强的数据读取
机译: 使用阈值电压漂移或电阻漂移容限运动基准内存数据编码为多级细胞MLC内存实现增强的数据写入
机译: 使用阈值电压漂移或电阻漂移容忍的移动基线存储器数据编码为多级单元(MLC)存储器实现增强的数据写入
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:在各种操作条件下基于TE的ovonic阈值开关装置的阈值电压漂移
机译:动态栅极应力诱导碳化硅MOSFET的阈值电压漂移
机译:ESD应力条件下a-Si:H薄膜晶体管的阈值电压漂移
机译:用于可重构RF开关和非易失性存储器的相变材料的结晶动力学和阈值电压的研究。
机译:LaAlO3 / SrTiO3异质结构中电场引起的阈值电压漂移
机译:多堆叠绝缘体以最小化在离子溶液中操作的ZnO FET传感器中的阈值电压漂移
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。