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黄艺;
中国电子学会;
晶体管;
机译:基于FW-EM的可伸缩小信号模型GaN HEMT的升放方法,考虑温度依赖性电阻
机译:GAN堆栈小信号模型及基于GAN的MIS-HEMTS界面陷阱的测定研究
机译:基于全局优化的Si和SiC衬底上GaN HEMT的混合小信号模型参数提取
机译:基于混合多偏置方法的可扩展HEMT小信号模型提取
机译:基于小信号模型的串联谐振变换器控制系统设计的验证。
机译:基于PD-Algan / GaN HEMTS栅极偏压调制的二氧化氮气体传感器性能优化
机译:物理参数对AL0.3GA0.7N / AL0.05GA0.95N / GAN复合通道HEMTS微波噪声特性的影响
机译:开发基于物理的alGaN / GaN HEmT有限元模型,该模型能够适应工艺和外延变化并使用多个DC参数进行校准(后印刷)
机译:ALGAN / GAN HEMT小信号模型及其参数提取方法
机译:Algan / GAN HEMT小信号模型的提取方法及其参数
机译:基于氮化镓的HEMT和制造基于氮化镓的HEMT的方法
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