机译:物理参数对AL0.3GA0.7N / AL0.05GA0.95N / GAN复合通道HEMTS微波噪声特性的影响
机译:基于MMIC LNA的新型复合通道Al0.3Ga0.7N / Al0.05Ga0.95N / GaN HEMT
机译:高线性度复合通道Al {sub}(0.3)Ga {sub}(0.7)N / Al {sub}(0.05)Ga {sub} N / GaN HEMT的宽带微波噪声特性
机译:Algan / GaN / SiC HEMT晶体管肖特基屏障参数对微波发电机相位噪声的影响
机译:硅衬底上随温度变化的微波噪声参数和AlGaN / GaN HEMT的建模
机译:使用AlGaN / GaN HEMT的大功率,宽带微波F类功率放大器的设计
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱