用于HEMT的应变In<,x>Ga<,1-x>As/InAlAs/InP异质结的MBE生长研究

机译：高电子迁移率晶体管应用中应变In / sub x / Ga / sub 1-x / As / InAlAs / InP异质结构的设计和生长研究

机译：氨MBE生长的双异质结AlGaN / GaN / AlGaN HEMT异质结构的光致发光，受激发射，光反射和2DEG特性的研究

机译：亚微米栅MBE生长的InAlAs / InGaAs / InAlAs异质结MESFET中的扭结效应

机译：MBE生长的新型InAlAs / InP / InAlAs pnp双异质结双极晶体管

机译：用于高性能HEMT的GaN异质结构的MBE生长

机译：InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化

机译：错误到：“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”

机译：利用碳和锌基层掺杂剂的mOCVD材料生长和优化Inp / InGaas和Inalas / InGaas异质结双极晶体管结构

机译：具有在n-InP供体层上形成的InAlAs肖特基势垒层的异质结场效应晶体管

机译：/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法

机译：具有Al x Ga 1-x As--AlAs-- GaAs异质结的半导体器件