InP/InGaAsHBT湿法化学选择腐蚀技术

摘要

用H<,3>PO<,4>:H<,2>O<,2>系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率F<,1>和最大振荡率F<,max>分别为11GHz和12GHz。