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崔利杰; 朱战平; 王保强; 张昉昉; 曾一平; 李灵霄; 林兰英;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
分子束外延技术; MM-HEMT材料; GaAs基; 材料性能; In组分含量;
机译:半导体漏极层和窄沟道台面宽度的垂直InGaAs沟道MISFET的高电压增益
机译:具有半导体漏极层和窄沟道台面宽度的垂直InGaAs沟道MISFET的高电压增益
机译:沟道势垒层对p-Ge / n-InGaAs CMOS器件模拟性能的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:InGaAs上Al2O3原子层沉积的初始过程:界面形成机理及其对金属-绝缘体-半导体器件性能的影响
机译:用于具有沟道反转的InGaAs增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管的Ga2O3(Gd2O3)/ Si3N4双层栅极电介质
机译:InGaas / Inalas高电子迁移率晶体管有源沟道中过量铟的后果对器件特性的影响
机译:包括改进的InGaAs沟道层的二维电子气场效应晶体管
机译:场效应管制造处理特别是亚微米量子线沟道-使用两级电子束抗蚀剂系统,在抗蚀剂层中具有不同的电子曝光灵敏度,并在砷化镓层中形成栅极凹口,并在砷化铝镓沟道层中干刻蚀出孔
机译:用作MOSFET的半导体组件的生产包括准备沟道区层,在第一沟道区层中形成凹槽,用复合区填充凹槽以及施加另一个沟道区层
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