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MOCVD方法制备高Al组分AlGaN

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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了铝镓氮(AlGaN)薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为100Torr和50Torr的两个样品的光学性质、晶体质量及表面形貌进行了对比.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|411-414|共4页
会议地点广西北海
作者
王晓燕; 王晓亮; 胡国新; 王保柱; 李建平; 肖红领; 王军喜; 曾一平; 李晋闽;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.26;TN304.055;
关键词
MOCVD; 铝镓氮薄膜; 透射谱; SEM; 金属有机物化学气相沉积; 外延生长; 晶体质量;
入库时间 2022-08-17 10:41:27

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