Films; Aluminum gallium nitride; Wide band gap semiconductors; MOCVD; Substrates; Nitrogen;
机译:通过TEM和TKD缺陷MOCVD种植ALN / ALNGAN薄膜的MOCVD缺陷
机译:通过MOCVD生长的邻近蓝宝石(0001)衬底上的GaN膜和AlGaN / GaN异质结构的表征
机译:MoCVD生长的AlGaN薄膜表面附近的点缺陷分布和转化
机译:MOCVD生长高铝组分AlGaN薄膜的数值模拟
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:MOCVD生长的ALN薄膜中应力和光学性质的温度依赖性
机译:MoCVD生长的AlGaN薄膜表面附近的点缺陷分布和转化
机译:LpE和mOCVD技术生长Gaas和al(x)Ga(1-x)as外延薄膜生长参数的研究