...
机译:通过TEM和TKD缺陷MOCVD种植ALN / ALNGAN薄膜的MOCVD缺陷
Nelson Mandela Univ Phys Dept Ctr HRTEM POB 77000 ZA-6031 Port Elizabeth South Africa;
Nelson Mandela Univ Phys Dept Ctr HRTEM POB 77000 ZA-6031 Port Elizabeth South Africa;
Nelson Mandela Univ Phys Dept Ctr HRTEM POB 77000 ZA-6031 Port Elizabeth South Africa;
Nelson Mandela Univ Phys Dept Ctr HRTEM POB 77000 ZA-6031 Port Elizabeth South Africa;
AlGaN; Misfit; Dislocations; TEM; TKD;
机译:通过TEM和TKD缺陷MOCVD种植ALN / ALNGAN薄膜的MOCVD缺陷
机译:MOCVD在蓝宝石和6H-SiC衬底上生长的AlGaN / AlN / GaN异质结构中热电子的能量弛豫
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r面蓝宝石衬底上进行a面GaN膜的MOCVD生长的比较研究
机译:TEM在蓝宝石底板上生长的系统Aln / Algan缺陷的表征
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:在蓝宝石和6H-SIC基板上通过MOCVD生长的AlGaN / Aln / GaN异质结构中的热电子的能量放松
机译:成长氮化铝(alN)衬底上氮化铝镓((al)GaN)薄膜缺陷的控制。