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非有意掺杂高迁移率GaN材料MOCVD生长研究

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本文用MOCVD技术生长了非有意掺杂高迁移率GaN外延材料,研究并讨论了非有意掺杂GaN材料获得高电子迁移率的形成机理,给出了非有意掺杂GaN材料的电子迁移率随生长压力的变化关系,通过XRD测试,发现了迁移率同位错之间的紧密联系.在其它生长条件相同的情况下,迁移率随着生长室压力的升高而升高,X射线摇摆曲线半峰宽(10(1)2)随着迁移率的升高而降低,而本文认为刃位错密度的降低是影响GaN材料迁移率升高的主要因素.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|268-270|共3页
会议地点广西北海
作者
胡国新; 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 冉军学; 李建平;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.054.4;
关键词
高电子迁移率; 氮化镓材料; MOCVD生长; 刃位错密度;
入库时间 2022-08-17 10:41:25

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