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许燕; 黄云; 邓文基;
中国电子学会;
PHEMT器件; 砷化镓半导体; 可靠性评估; 热电子退化; 接触退化; 温度斜坡; 2DEG结构;
机译:基于器件仿真的AlGaAs / GaAs HBT可靠性分析
机译:III-V型化合物半导体器件中的可靠性问题:光学器件和基于GaAs的HBT
机译:InGaAs / InP DHBT器件的封装和钝化的长期可靠性评估
机译:提高GaAs芯片产量并增强GaAs器件的可靠性
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:离散GaAs HBT器件的直流和微波可靠性
机译:用于alxGa(1-x)as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征
机译:半导体器件可靠性评估装置和半导体器件可靠性评估方法
机译:用于评估半导体器件的可靠性的评估布线图案和评估方法,以及具有相同图案的半导体器件
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
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