AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真

摘要

从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发，采用商用TCAD软件建立AlGaN／GaN HEMT器件二维模型。针对自加热效应，在不同的直流偏置电压下，对AlGaN／GaN HEMT器件进行了二维数值分析，获得相应的热形貌分布。