MEMS用SU8负胶背面曝光的光学模拟及其工艺研究

摘要

SU8负胶背面曝光是利用光学衍射效应来制备MEMS三维结构的新方法.本文针对背面曝光的主要影响因素利用Matlab编程模拟了背面曝光后SU8结构的形貌图,开展了相应得实验研究,并对实验和模拟结果进行了比较与分析.结果表明:背面曝光是制备SU8 三维微结构的简便易行的方法,有必要在模拟中将材料对光的吸收和折射考虑进来以便模拟能与实际结果更好地吻合.