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朱军; 蒋宏民; 陈翔; 陈迪; 刘景全;
上海交通大学微纳技术研究院微米纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室;
最小曝光剂量; PAG; 集成制造;
机译:SU8光刻胶的表面改性,可改善单片MEMS微结构中的收缩率
机译:超低k相容性二氧化碳原位光刻胶灰化过程的机理研究。一,工艺性能及其对ULK材料改性的影响
机译:用于仅相位光学涡流制造的附加光刻工艺中的光刻胶粗糙度表征
机译:157 nm光刻胶材料的特性,用于高级光刻工艺。
机译:玉米醇溶蛋白改性同轴静电纺丝的工作流体工艺特性与产物之间的关系
机译:投影光刻胶的非线性光学特性
机译:精密模塑光学元件的最终形状:第2部分 - 材料特性和工艺参数的验证和灵敏度
机译:具有可以在通过使用该组合物的光学传感器的组合物的制造方法和由此制造的光学传感器形成的图案上进行有机图案涂布工艺的特性的负性光刻胶组合物
机译:提供一种经缩聚,缩合鞣质,经共聚合改性的植物提取物的工艺,用于鞣制和固色,一种经特征化,经突变,经共聚改性的植物经改性后的具有强烈特性和特征的植物提取物
机译:在曝光的光刻胶层上进行表面改性处理的光刻工艺的机制
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