不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响

摘要

GaN材料本身具有极大的优越性，如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、异质结界面二维电子气浓度高，决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位。而高质量GaN的掺杂制备一直成为研究者关注的热点。本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果，主要总结概括了ⅡA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂，分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响，并以Mg掺杂GaN为例对比了各种掺杂技术的优缺点。