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姜丽娟; 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 冉军学; 李晋闽; 王占国; 侯洵;
中国科学院半导体研究所材料中心;
中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室;
中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室;
稀磁半导体; 氮化镓; 稀土族元素; 离子注入; 快速退火;
机译:稀磁半导体的理论研究:过渡金属原子掺杂的GaN单层
机译:Mn共掺杂的Ⅰ族元素在ZnO稀磁半导体中的作用
机译:MOCVD生长的超掺杂GaN基稀磁半导体的微结构性能
机译:从头开始研究过渡金属(TM)Co掺杂的ZnO基稀磁半导体中的磁性
机译:本征空位硫族化物作为稀磁半导体:过渡金属掺杂硒化镓的理论研究。
机译:过渡金属吸附掺杂的ZnO单层:2D稀磁半导体电磁机构及二维
机译:过渡金属吸附掺杂的ZnO单层:2D稀磁半导体,磁机制和超越2D
机译:带间谐振隧道二极管(I-RTD)和稀磁半导体(Dms)I-RTD中的磁光传感器。
机译:表皮生长基质,生产GAN基半导体薄膜的过程,GAN基半导体薄膜,生产GAN基半导体发光元素的过程以及GAN基半导体发光元素的过程
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:具有室温下具有铁磁特性的超晶格结构的氧化钛基稀磁半导体薄膜的制备
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