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机译:β-SiC薄膜及其上制造的半导体器件的生长
公开/公告号US4912063A
专利类型
公开/公告日1990-03-27
原文格式PDF
申请/专利权人 NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY;
申请/专利号US19870113921
发明设计人 CALVIN H. CARTER JR.;HUA-SHUANG KONG;ROBERT F. DAVIS;JEFFREY T. GLASS;
申请日1987-10-26
分类号H01L21/20;
国家 US
入库时间 2022-08-22 06:07:45
机译: BETA-SIC薄膜的生长及其制造的半导体器件
机译: 阿尔法硅薄膜的同质生长及其制造的半导体器件
机译: Alpha-SiC薄膜的同质外延生长及其上制造的半导体器件