半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件

摘要

本发明的半导体衬底包括GaN衬底和在GaN衬底上外延生长的由III-V族氮化物化合物半导体构成的单晶层。所述GaN衬底具有由位于0.12度至0.35度范围内的从{0001}面向<1-100>方向的表面倾角绝对值和位于0.00度至0.06度范围内的从{0001}面向<11-20>方向的表面倾角绝对值来确定的表面取向。