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机译:Alpha-SiC薄膜的同质外延生长及其上制造的半导体器件
公开/公告号US5011549A
专利类型
公开/公告日1991-04-30
原文格式PDF
申请/专利权人 NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY;
申请/专利号US19890422032
发明设计人 HUA-SHUANG KONG;ROBERT F. DAVIS;JEFFREY T. GLASS;
申请日1989-10-16
分类号H01L21/20;H01L21/203;
国家 US
入库时间 2022-08-22 05:46:34
机译: 阿尔法硅薄膜的同质生长及其制造的半导体器件
机译: α-SiC薄膜的同质外延生长及其上制造的半导体器件
机译: BETA-SIC薄膜的生长及其制造的半导体器件