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机译:使用基于SiON的硬掩模蚀刻MOS技术的栅极的步骤
公开/公告号JP2000512079A
专利类型
公开/公告日2000-09-12
原文格式PDF
申请/专利权人 フランセ テレコム;
申请/专利号JP19980501284
发明设计人 シアボンヌ パトリック;ガヤールド フレデリック;
申请日1997-06-09
分类号H01L29/78;H01L21/28;H01L21/3065;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 02:06:41
机译: 使用基于SiON的硬掩模以MOS技术蚀刻栅极的工艺
机译: 闪存设备的制造NAND型闪存器件包括在使用硬掩模层作为掩模的单蚀刻设备中蚀刻导电层和介电层,其中形成控制栅极和浮置栅极。
机译: 形成核心和外围门的方法,包括两个关键的步骤以在核心区域形成硬掩模,包括在光刻技术的解决方案极限范围内可以达到的临界尺寸