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Enhanced single event upset immune latch circuit

机译:增强型单事件翻转免疫锁存电路

摘要

An enhanced single event upset immune CMOS latch circuit is formed of a first and a second cross-coupled invertor having isolation transistors in the path coupling the drains of the transistors in the first invertor.
机译:增强的单事件翻转免疫CMOS锁存电路由第一和第二交叉耦合的反相器形成,该第一和第二交叉耦合的反相器在耦合该第一反相器中的晶体管的漏极的路径中具有隔离晶体管。

著录项

  • 公开/公告号US6275080B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BAE SYSTEMS;

    申请/专利号US20000480454

  • 发明设计人 HO G. PHAN;BIN LI;DERWIN L. JALLICE;

    申请日2000-01-11

  • 分类号H03K30/37;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:03:36

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