Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, IRAN;
机译:高性能和单一事件双重缺损免疫闩锁设计
机译:用于纳米级CMOS的单事件双翻转完全免疫和瞬态脉冲可过滤锁存器设计
机译:单粒子翻转容错设计锁存器
机译:单个事件镦粗免疫闩锁电路设计使用C元素
机译:SRAM的体系结构设计,具有片上错误检测和针对单事件翻转的纠正功能。
机译:缓解癫痫神经刺激器的位翻转或单事件不适
机译:SRAM电路的单一事件生气淬火设计