机译:在未淬火的6T / SRAM和淬火的ADE / SRAM中重离子诱导的单事件翻转敏感性的比较
机译:太阳同步轨道中未硬化的高密度SRAM中单事件翻转的观察
机译:低电压13T抗辐射SRAM位单元的单粒子翻转耐受性研究
机译:TOPEX / Poseidon轨道中非硬化高密度SRAM中单事件翻转和多位翻转的观察
机译:SRAM的体系结构设计,具有片上错误检测和针对单事件翻转的纠正功能。
机译:用于辐射硬化电荷敏感放大器的集成电路设计最多2个MRAD
机译:纳米级CMOS技术的单一事件多次易易宽容的SRAM单元设计
机译:sEU(单事件翻转)表征硬化的CmOs 64K和256K sRam。