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MASK PATTERN FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING THE SAME, METHOD OF PREPARING COATING COMPOSITION FOR FORMING FINE PATTERNS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

机译:用于制造半导体器件的掩模图案,其形成方法,用于形成精细图案的涂层组合物的制备方法以及用于制造半导体器件的方法

摘要

A mask pattern for semiconductor device fabrication is dislosed. A mask pattern for semiconductor device fabrication comprises a resist pattern formed on a semiconductor substrate, and an interpolymercomplex film formd on the resist pattern, wherein the interpolymer complex film includes a network formed by a hydrogen bond between a proton donor polymer and a proton acceptor polymer.
机译:公开了用于半导体器件制造的掩模图案。用于半导体器件制造的掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案和形成在抗蚀剂图案上的互聚物复合膜,其中互聚物复合膜包括由质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键形成的网络。 。

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