要解决的问题:提供一种掺杂有锂和氮的低电阻n型半导体金刚石以及n型半导体金刚石的制造方法。
解决方案:在n型半导体金刚石的制造方法中,使用微波等离子体CVD设备通过在基板上进行气相合成来合成金刚石。在此,Li和N作为金刚石合成中的杂质元素而添加。 Li(dpm)用作Li源,并且优选升华并引入微波等离子体CVD装置中。优选地,微波等离子体CVD装置内部的压力为〜2.7kPa,并且基板的温度为〜700℃。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP4345437B2
专利类型
公开/公告日2009-10-14
原文格式PDF
申请/专利权人 住友電気工業株式会社;
申请/专利号JP20030368438
申请日2003-10-29
分类号C30B29/04;C01B31/06;C23C16/27;H01L21/205;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:42:37