P型半导体金刚石膜性质的研究

摘要

本文研究了P型半导体金刚石膜中硼掺杂对金刚石膜电子性质及力学性质的影响.利用热灯丝CVD和微波等离子体CVD方法制备金刚石膜并采用H<,2>气携带[B(CH<,3>)<,3>]实现硼掺杂.应用SEM,Raman,SIMS和Hall效应测量对掺杂金刚石膜进行分析和表征.实验结果表明硼掺杂可改善金刚石膜质量和增强金刚石膜的定向生长,然而高浓度的硼掺杂可以引起金刚石膜晶格常数的改变和增大的内应力,并引起Fano效应.本文对实验结果进行了讨论.并对硼掺杂效应进行了理论分析.