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Sulpho-Salicylic Acid Grafted to Ferrite Nanoparticles for n-Type Organic Semiconductors

机译:静水杨酸接枝到用于n型有机半导体的铁氧体纳米粒子

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摘要

A disadvantage of the use of pentacene and typical organic materials in electronics is that their precursors are toxic for manufacturers and the environment. To the best of our knowledge, this is the first report of an n-type non-toxic semiconductor for organic transistors that uses sulpho-salicylic acid—a stable, electron-donating compound with reduced toxicity—grafted on a ferrite core–shell and a green synthesis method. The micro-physical characterization indicated a good dispersion stability and homogeneity of the obtained nanofilms using the dip-coating technique. The in-situ electrical characterization was based on a point-contact transistor configuration, and the increase in the drain current as the positive gate voltage increased proved the functionality of the n-type semiconductor.
机译:在电子器件中使用五烯和典型有机材料的缺点是它们的前体对制造商和环境有毒。据我们所知,这是用于有机晶体管的N型无毒半导体的第一个报告,该有机晶体管使用硫酸水杨酸 - 一种稳定的电子给性化合物,其在铁氧体核心壳上覆盖造成的毒性 - 接枝绿色合成方法。微观物理表征表明使用浸涂技术所获得的纳米丝的良好分散稳定性和均匀性。原位电学表征基于点接触晶体管配置,并且随着正栅极电压的增加,漏极电流的增加被证明了n型半导体的功能。

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