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DUAL GATE FET STRUCTURES FOR FLEXIBLE GATE ARRAY DESIGN METHODOLOGIES

机译:灵活的栅极阵列设计方法的双栅极FET结构

摘要

A gate array cell adapted for standard cell design methodology or programmable gate array that incorporates a dual gate FET device to offer a range of performance options within the same unit cell area. The conductivity and drive strength of the dual gate device may be selectively tuned through independent processing of manufacturing parameters to provide an asymmetric circuit response for the device or a symmetric response as dictated by the circuit application.
机译:一种适用于标准单元设计方法或可编程门阵列的门阵列单元,该门阵列单元包含双栅FET器件,可在同一单位单元区域内提供一系列性能选择。可以通过对制造参数的独立处理来选择性地调节双栅极器件的电导率和驱动强度,以提供器件的非对称电路响应或电路应用要求的对称响应。

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