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包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路

摘要

提供了用于包括信号放大的各种应用的电子电路和方法。一种示例电子电路包括处于共源共栅配置的MOSFET和双栅极JFET。双栅极JFET包括布置在沟道上方和下方的顶部栅极和底部栅极。JFET的顶部栅极受依赖于控制MOSFET的栅极的信号的信号控制。JFET的底部栅极的控制可以依赖于或者独立于顶部栅极的控制。MOSFET和JFET可以被实现为在相同的衬底上具有不同的诸如栅极宽度之类的尺寸的分离的部件。

著录项

  • 公开/公告号CN104766887B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 艾壳;

    申请/专利号CN201510002272.X

  • 发明设计人 D·A·玛斯利亚;A·G·布拉卡尔;

    申请日2015-01-04

  • 分类号H01L29/78(20060101);H01L27/02(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华;吕世磊

  • 地址 法国路维希安

  • 入库时间 2022-08-23 10:31:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-17

    授权

    授权

  • 2016-09-28

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 登记生效日:20160901 变更前: 变更后: 申请日:20150104

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-09-28

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20160901 变更前: 变更后: 申请日:20150104

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-08-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20150104

    实质审查的生效

  • 2015-08-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20150104

    实质审查的生效

  • 2015-07-08

    公开

    公开

  • 2015-07-08

    公开

    公开

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