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ELECTRONIC CIRCUITS INCLUDING A MOSFET AND A DUAL-GATE JFET

机译:电子电路,包括MOSFET和双栅极JFET

摘要

Electronic circuits and methods are provided for various applications including signal amplification. An exemplary electronic circuit comprises a MOSFET and a dual-gate JFET in a cascode configuration. The dual-gate JFET includes top and bottom gates disposed above and below the channel. The top gate of the JFET is controlled by a signal that is dependent upon the signal controlling the gate of the MOSFET. The control of the bottom gate of the JFET can be dependent or independent of the control of the top gate. The MOSFET and JFET can be implemented as separate components on the same substrate with different dimensions such as gate widths.
机译:提供了用于各种应用的电子电路和方法,包括信号放大。示例性电子电路包括共源共栅配置的MOSFET和双栅极JFET。双栅极JFET包括设置在通道上方和下方的顶部和底部栅极。 JFET的顶栅极由一个信号控制,该信号取决于控制MOSFET栅极的信号。 JFET的底栅的控制可以依赖于或独立于顶栅的控制。 MOSFET和JFET可以实现为同一衬底上具有不同尺寸(例如栅极宽度)的单独组件。

著录项

  • 公开/公告号US2016111417A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ACCO;

    申请/专利号US201514979337

  • 发明设计人 DENIS A. MASLIAH;

    申请日2015-12-22

  • 分类号H01L27/06;H01L29/808;H01L29/423;H01L29/78;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:37:12

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