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无;
不详;
MOSFET; JFET; 功率半导体; 利用能源; 可持续发展; 资源变化; 全球气候; IGBT;
机译:英飞凌革命性的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列采用直接驱动技术
机译:SiC JFET和SiC JFET / Si MOSFET级联配置的开关性能比较
机译:Ge JFET,Si JFET和Si MOSFET的低频噪声与温度光谱
机译:HybridPACKTM驱动器封装中的新型CoolSiCTM MOSFET的优点,适用于电气传动系统应用。
机译:在挤压区域和附近仿真MOSFET,BJT和JFET
机译:使用OneDose MOSFET和移动MOSFET对急性淋巴细胞白血病患者的皮肤剂量进行测量和比较
机译:SiC JFET和SiC JFET / Si MOSFET共源共栅配置的开关性能比较
机译:siC DmOsFET和JFET的高温性能比较(预印)
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET)的组合,可用于通过改变流经MOSFET半导体沟道区(SCR)的电流来调制电流电压响应或减轻电磁或辐射干扰效应
机译:结合使用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET),可通过改变流经MOSFET的电流来调节电流电压响应或减轻电磁干扰或辐射干扰效应
机译:具有通用门控和沟道区域的互补增强和耗尽型MOSFET,耗尽型MOSFET也为JFET
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