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IN-LINE VIRTUAL-MASKING METHOD FOR MASKLESS LITHOGRAPHY

机译:在线光刻技术的在线虚拟掩膜方法

摘要

An inline virtual masking method for a maskless lithography is provided to prevent or reduce errors chemically generated with smudge and to realize the inline compensation of the deformation of a substrate without using a member for physical correction. An inline virtual masking method for a maskless lithography comprises an exposure hosting computer connection unit which produces and transmits a virtual mask for the exposure for the same pattern by inputting data necessary for the pattern exposure in a maskless lithographic process using micro-mirror; and a micro-mirror controller connection unit transmitting the beam of light to a micro-mirror controller by setting whether beam of light is reflected or not to micro-mirror with a virtual mask for the exposure, which it is transmitted from the exposure hosting computer connection unit.
机译:提供一种用于无掩模光刻的在线虚拟掩模方法,以防止或减少由污迹化学产生的误差,并且无需使用用于物理校正的构件就可以实现基板变形的在线补偿。一种用于无掩模光刻的在线虚拟掩模方法,包括:曝光主机计算机连接单元,其通过使用微镜在无掩模光刻工艺中输入图案曝光所需的数据,来生成并发送用于相同图案的曝光的虚拟掩模;以及微镜控制器连接单元,其通过设置光束是否被曝光用虚拟掩模从微机控制器传输,所述虚拟镜通过曝光用虚拟计算机从曝光主机传送,微镜控制器连接单元通过设置光束是否被反射到微镜控制器而将光传输到微镜控制器。连接单元。

著录项

  • 公开/公告号KR100868242B1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IAMTEN CO. LTD.;

    申请/专利号KR20070046450

  • 发明设计人 SEO MAN SEUNG;KIM HAE RYUNG;

    申请日2007-05-14

  • 分类号G03F7/20;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:14:25

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