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SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS

机译:半导体存储器

摘要

A semiconductor memory device is provided to shorten a product developing time by easily correcting a change of a fixed circuit, a fixing of a test result, and a test of a circuit. A switching part(100) selectively outputs a test signal or an inverted signal of the test signal in response to a MRS(Mode Register Set) signal as a test input signal. A signal combination part(200) logic-assembles the test input signal and a fuse signal, and outputs a logic-assembled signal. If the MRS signal is disabled, the switching part outputs the test signal as the test input signal. If the MRS signal is enabled, the switching part outputs the inverted signal of the test signal as the test input signal.
机译:提供一种半导体存储器件,以通过容易地校正固定电路的改变,测试结果的固定以及电路的测试来缩短产品开发时间。开关部分(100)响应于作为测试输入信号的MRS(模式寄存器设置)信号而选择性地输出测试信号或测试信号的反相信号。信号组合部分(200)将测试输入信号和保险丝信号逻辑组合,并输出逻辑组合信号。如果禁用了MRS信号,则开关部分将测试信号作为测试输入信号输出。如果启用了MRS信号,则开关部分将测试信号的反相信号作为测试输入信号输出。

著录项

  • 公开/公告号KR20090025734A

    专利类型

  • 公开/公告日2009-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20070090812

  • 发明设计人 SHIN SANG HOON;

    申请日2007-09-07

  • 分类号G11C29/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:13:52

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