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Method for manufacturing crystallised silicon and crystallised silicon

机译:结晶硅的制造方法及结晶硅

摘要

the invention relates to a method for the manufacture of crystallized silicon according to the efg process using a formgebungsteils, between this and a siliciumschmelze includes crystallized silicon in a ziehzone grows with the siliciumschmelze and / or ziehzone a mong tgas and at least another fluid is supplied.the oxygen levels in the crystallized silicon is increased. in order to increase the oxygen content is accessible without necessarily according to the carbon content increase, it is proposed that a further fluid vapor to the inert gas is
机译:本发明涉及一种利用efung工艺使用形成性钢来制造结晶硅的方法,在该方法和硅硅酸盐之间包括在硅sch石中生长的结晶硅,硅and石和/或硅石是在长尾气中生长的,并且至少另一种流体是供应时,结晶硅中的氧含量增加。为了增加氧气含量而不一定根据碳含量的增加,建议将另一种流体蒸气输送到惰性气体中。

著录项

  • 公开/公告号EP1936012A3

    专利类型

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SCHOTT SOLAR GMBH;

    申请/专利号EP20070123423

  • 发明设计人 SEIDL ALBRECHT DR.;SCHWIRTLICH INGO DR.;

    申请日2007-12-18

  • 分类号C30B15/34;C30B29/06;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 18:38:28

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