机译:薄膜晶体管基质,特别是用于改善通过低温化学气相沉积法沉积的绝缘膜和保护膜的刻蚀特性
公开/公告号KR20100062544A
专利类型
公开/公告日2010-06-10
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;
申请/专利号KR20080121228
发明设计人 JEONG YU GWANG;LIM SANG UK;HWANGBO SANG WOO;LEE KI YEOP;SHIN BONG KYU;JU JIN HO;YEO YUN JONG;CHOI SHIN IL;YANG DONG JU;CHOI SEUNG HA;CHIN HONG KEE;KIM SANG GAB;YANG SUNG HOON;CHOI JAE HO;
申请日2008-12-02
分类号G02F1/136;H01L29/786;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 18:32:36