Chemical Vapor Deposition Mechanism of Copper Films on Silicon Substrates

摘要

cqvip:一个万用的金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 系统被设计并且构造。铜电影在硅(100 ) 上被扔由用 Cu (hfac )2 的化学蒸汽免职(CVD ) 的底层作为一位先锋。由 Cu (hfac )2 的 H 2 减小的硅底层上的 Cu 原子核的生长被原子力量显微镜学和扫描电子显微镜学学习。Cu 原子核的生长模式是开始 Volmer 网模式(岛) ，然后到 Stranski-Rastanov 模式(加岛的 layer-by-layer ) 的变换。硅(100 ) 上的 Cu 成核的机制底层被 X 光检查光电子进一步调查光谱学。从 Cu2p， O1s， F1s， Si2p 模式，观察 C=O，哦并且 CF 3/CF2 应该属于 Cu (hfac )2 的热分离形成的 Cu (hfac ) 。H 2 在表面上与 hfac 反应，生产哦。与它的累积，哦与 hfac 反应，形成 HO-hfac，并且同时，使放出铜氧化物被减少，并且因此，在 Cu (hafc )2 之间的氧化还原作用反应和 H 2 发生。