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PATTERN ARRANGEMENT METHOD AND SILICON WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE

机译:图案布置方法以及硅晶片和半导体器件

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern arrangement method which is less susceptible to fracture when a plurality of same patterns are formed on a silicon wafer in semiconductor lithography, and to provide a patterned silicon wafer, and a semiconductor device in which the pattern arrangement method is used.;SOLUTION: The silicon wafer has a plurality of chip patterns arranged in parallel in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction. The plurality of chip patterns includes one or more patterns arranged linearly in the first direction and second direction. The plurality of chip patterns are arranged so that the orthogonal axis of a cleavage surface of the silicon wafer and the surface of the silicon wafer where the patterns are arranged is different from the first direction.;COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种在半导体光刻中在硅晶片上形成多个相同图案时不易破裂的图案布置方法,并提供一种图案化的硅晶片以及其中进行图案布置的半导体器件解决方案:解决方案:硅晶片具有在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上平行排列的多个芯片图案。多个芯片图案包括在第一方向和第二方向上线性布置的一个或多个图案。排列多个芯片图案,使得硅晶片的切割面的正交轴与布置有图案的硅晶片的表面的正交轴与第一方向不同。;版权所有:(C)2012,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2012114392A

    专利类型

  • 公开/公告日2012-06-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DAINIPPON PRINTING CO LTD;

    申请/专利号JP20100271618

  • 发明设计人 TAKAGAKI TATSURO;

    申请日2010-12-06

  • 分类号H01L21/027;G03F7/20;B81B3/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:43:49

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