埋置绝缘层上硅晶片顶层中制作有半导体元件的半导体器件的制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法,此器件包含具有半导体区(17、18、24、44、45)的半导体元件,该半导体区制作在位于埋置绝缘层(2)上的硅晶片(1)的顶层(4)中。在此方法中,执行通常称为前期工艺的第一系列工艺步骤,其中特别是硅晶片被加热到700℃以上的温度。然后,在顶层中制作延伸范围与埋置的绝缘层相同、且不与pn结相交的沟槽(25)。在用绝缘材料(26、29)已经填充所述沟槽之后,在通常称为后期工艺的第二系列工艺步骤中完成半导体器件,其中,晶片温度不超过400℃。用晶片不被加热到超过500℃的温度的淀积工艺来填充沟槽。以这种方式,能够制作包含具有非常小而浅的半导体区的半导体元件的半导体器件。