首页> 外国专利> And a method of manufacturing electronic materials for the Cu-Ni-Si-based copper alloy

And a method of manufacturing electronic materials for the Cu-Ni-Si-based copper alloy

机译:以及用于Cu-Ni-Si基铜合金的电子材料的制造方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Cu-Ni-Si based alloy having an improved spring deflection limit.;SOLUTION: The copper alloy for an electronic material contains 1.0-4.0 mass% Ni, 0.2-1.0 mass% Si and the balance comprising Cu and inevitable impurities. In a measurement result obtained by X-ray diffraction pole figure measurement on a rolling surface as a reference, among the diffraction peak intensities of a {111}Cu surface to a {200} Cu surface obtained by β scanning at α=35°, a peak height at β angle 90° is equal to or more than 2.5 times of that of standard copper powder.;COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种具有改善的弹簧挠度极限的Cu-Ni-Si基合金;解决方案:用于电子材料的铜合金包含1.0-4.0质量%的Ni,0.2-1.0质量%的Si,余量包括铜和不可避免的杂质。在通过在作为基准的轧制表面上进行X射线衍射极图测量而获得的测量结果中,在α= 35°下通过β扫描获得的{111} Cu表面至{200} Cu表面的衍射峰强度中, β角90°时的峰高等于或大于标准铜粉的2.5倍。;版权所有:(C)2013,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP5595961B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JX日鉱日石金属株式会社;

    申请/专利号JP20110076566

  • 发明设计人 桑垣 寛;

    申请日2011-03-30

  • 分类号C22C9/06;C22C9/10;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/00;C22F1/08;H01B1/02;H01B5/02;H01B13/00;C22F1/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:14:38

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号